二八杠通城方言版:TEConnectivity的SESD器件解決普遍電路?；つ?..
所屬類別：最新資訊點擊次數：2052發布日期：2014-03-19
設計工程師充分了解在應付由charged board event (CBE) 所造成的較嚴重損壞時，提供符合IEC 61000-4-2標準的靜電放電 (ESD)?；すδ蕓贍懿⒉蛔愎?。這些極強的浪涌事件具有高峰值電流和快速上升時間特性，可能損壞智能手機、平板電腦、汽車信息娛樂設備和其它敏感的電子產品的I/O端口。認識到這一事實，TE Connectivity旗下的電路?；ひ滴癲棵磐瞥雋巳碌墓鐴SD (SESD)系列器件， 這些器件的空氣放電額定值為±20kV 和±22kV，遠遠高于IEC 8kV 接觸放電和15kV空氣放電標準要求，可以幫助設計人員解決由CBE事件引起的普遍電路?；つ煙?。
TE電路?；げ坎肪鞱icole Palma表示：“在與設計工程師一起工作時，我們發現IEC的ESD?；け曜濟揮姓嬲餼隹贍艿賈虜飯收系腃BE問題。針對這一挑戰，我們提升了現有的小型低電容SESD器件產品線，提供20kV及更高的浪涌?；つ芰?。這種更強大的?；つ芰梢園鎦圃焐燙岣卟房煽啃?，最大限度地減少現場返修(field return)，而這正是競爭異常激烈的計算機、移動、消費和汽車市場的關鍵設計考慮?！?BR> 此新一代SESD產品同時具有單向和雙向配置，以及1、2和4通道器件，采用微小型0201和0402尺寸及標準直通(flow-through)封裝。除了提供20kV接觸放電性能，這些器件的浪涌?；つ芰?4通道陣列為2.2A，1和2通道器件為2.5A)有助于提供更穩健的性能。
SESD器件的典型輸入電容在高頻譜下為0.15pF (雙向)和0.30pF (單向)，能幫助滿足HDMI、eSATA和其它高速信號要求。它們的低鉗位電壓 (<15V) 有助于達到快速啟動時間和最大限度地減少能量通泄 (energy let-through)。此外，SESD器件具有極低的泄漏電流(50nA)，幫助在必須節約能源的應用中降低功耗。
58w二八杠 www.uqyke.com 當前的電子資訊：TEConnectivity的SESD器件解決普遍電路?；つ?..
上一篇電子資訊：[上一篇]：Vishay發布新款高穩定性薄膜片式電阻
下一篇電子資訊：[下一篇]：意法半導體以先進技術和產品組合推動家庭數
